[发明专利]一种用于超高真空的磁控溅射靶无效
| 申请号： | 201010297750.1 | 申请日： | 2009-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN101935823A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 金贻荣;董世迎;张殿琳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于超高真空的磁控溅射靶，其中磁控溅射靶的靶阴极和靶阳极之间采用一道O型圈密封，大大减少了密封O型圈的数量，可以满足超高真空要求。本发明的靶中磁体的制备工艺，通过建立数学模型，对磁体的尺寸与形状进行有限元优化，使得靶面附近磁场平行分量分布更均匀且宽广，提高了溅射时靶材面的使用范围，有效的提高了靶材的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 超高 真空 磁控溅射 | ||
【主权项】：
一种磁控溅射靶，其特征在于，包括靶阴极和靶阳极，所述靶阳极括靶顶法兰和接地外鞘，靶顶法兰与接地外鞘相连，靶阳极的上部密封；靶阴极包括靶体，靶体通过靶阳极上设置的绝缘连接件与靶阳极不接触的设置在接地外鞘中，并且靶体上表面与靶阳极之间通过一道O型圈密封，所述靶体下表面上紧密固定靶材，靶材下部的接地外鞘上设置有与靶材大小相配的通孔。
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