[发明专利]一种氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED外延片及其生长方法有效
| 申请号： | 201010292909.0 | 申请日： | 2010-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101980384A | 公开（公告）日： | 2011-02-23 |
| 发明（设计）人： | 季辉;梁智勇;艾建军;戚运东;罗正加 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明 |
| 地址： | 410007 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基III-V族化合物半导体LED外延片，包括有源层；有源层由一个或多个量子阱垒组成，量子阱垒自下而上依次包括阱层、高温垒层、低温垒层。本发明所提供的氮化镓基LED外延片通过改变有源层的生长方法，即先生长一层高温垒层，再生长一层温度相对降低的低温垒层，生长两种不同温度的垒层来减小由于迅速降温过程中导致的垒层与阱层界面的应力，提高内建电场，进而提高外延片的抗静电能力。同时，本发明还提供了一种氮化镓基III-V族化合物半导体LED外延片的生长方法，该方法具有步骤简单、容易操作，效果明显的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 化合物 半导体 led 外延 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基III‑V族化合物半导体LED外延片，包括有源层，其特征在于，所述有源层由一个或多个量子阱垒组成，所述量子阱垒自下而上依次包括阱层(51)、高温垒层(52)、低温垒层(53)。
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