[发明专利]制备纳米晶电阻转换材料的方法有效
| 申请号： | 201010289914.6 | 申请日： | 2010-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN102011089A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 张挺;宋志棠;刘波;吴关平;张超;封松林;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/58;C23C16/24;B32B5/16;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 王松 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种制备纳米晶电阻转换材料和单元的方法，包括如下步骤：首先沉积超薄的电阻转换存储材料薄膜，随后通过退火在基底上形成均匀的纳米晶，再者通过功能材料的沉积形成对纳米晶的包覆；重复上述三步，形成具有功能材料包覆的均匀的纳米晶电阻转换存储材料和单元。本发明提出的制备纳米晶电阻转换存储材料的工艺方法，可用于纳米晶电阻转换存储器，解决无法制备均匀纳米晶存储材料的难题。本发明能够大幅度提升存储器的性能，提升器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 纳米 电阻 转换 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种制备纳米晶电阻转换材料的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：A、沉积厚度小于10nm的具有电阻转换功能材料的超薄薄膜；B、在真空腔室内采用退火，通过团聚效应形成均匀的具有存储功能的纳米晶颗粒；C、沉积包覆材料，均匀地包覆在具有存储功能的纳米晶颗粒表面；D、重复步骤A到步骤C，直到得到足够的厚度，制备得到均匀的纳米晶电阻转换材料。
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