[发明专利]防止接触孔金属伸入栅极的集成电路结构及其方法

摘要

本发明提供一种防止接触孔金属(例如钨)水平伸入相邻元件的栅极叠层结构以影响相邻元件的功函数的集成电路结构及其方法。该方法利用具有良好侧壁覆盖能力的功函数层定义位于接触孔插塞下方的金属栅极，且做为上述金属栅极的衬垫层，其中上述接触孔插塞是相邻元件且共用(或连接至)金属栅极，上述功函数层具有良好的阶梯覆盖能力以防止接触孔金属伸入相邻元件的栅极叠层结构中。只需修改用以移除虚设多晶硅的光掩模的布局，不需额外的微影工艺及光掩模。不需修改工艺或额外的基板工艺步骤。使用上述方法和结构的好处可包括增加元件合格率和性能。

主权项

一种防止一接触孔金属伸入相邻的栅极元件以影响所述多个栅极元件功函数的方法，包括下列步骤：准备一光掩模，其用以暴露出P型场效应晶体管的栅极结构中的一虚设多晶硅，其中该光掩模同时用以暴露出局部内连线区域的该虚设多晶硅，所述多个局部内连线区域的该虚设多晶硅位于接触孔插塞下且相邻于连接至所述多个局部内连线区域的N型场效应晶体管的栅极结构；加工一基板，以定义出所述多个P型场效应晶体管和所述多个N型场效应晶体管的元件区域和结构，其中所述多个P型场效应晶体管和所述多个N型场效应晶体管的所述多个栅极结构和所述多个局部内连线利用一虚设多晶硅层沉积而成；图案化该基板，以暴露出位于所述多个P型场效应晶体管的所述多个栅极结构中和所述多个局部内连线区域中的该虚设多晶硅；移除从所述多个P型场效应晶体管的所述多个栅极结构中和所述多个局部内连线区域中暴露出的该虚设多晶硅；以及于该基板上沉积具有开口的一P型功函数层，所述多个开口利用移除从所述多个P型场效应晶体管的所述多个栅极结构中和所述多个局部内连线区域中暴露出的该虚设多晶硅形成，其中该P型功函数层覆盖所述多个开口的侧壁，且防止该接触孔金属伸入连接至所述多个内连线结构区域的所述多个N型场效应晶体管的所述多个栅极结构以影响其功函数。