[发明专利]一种针对耦合电容影响的化学机械抛光工艺哑元金属填充方法有效
| 申请号： | 201010286461.1 | 申请日： | 2010-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN102402635A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 曾璇;周海;严昌浩;陶俊;冯春阳 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙) 31268 | 代理人： | 吴桂琴 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明属集成电路半导体制造技术领域，涉及一种针对耦合电容影响的化学机械抛光工艺哑元金属填充方法。本方法将求解最小化耦合电容影响的哑元金属填充问题转化成特殊的覆盖线性规划问题，然后用完全多项式时间近似法求解所述问题。本发明能保证最终结果的 |
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| 搜索关键词： | 一种 针对 耦合 电容 影响 化学 机械抛光 工艺 金属 填充 方法 | ||
【主权项】：
1.一种针对耦合电容影响的化学机械抛光工艺哑元金属填充方法，其特征在于，该方法将求解最小化耦合电容影响的哑元金属填充问题转化成特殊的覆盖线性规划问题，然后用完全多项式时间近似法求解所述问题，其包括步骤：步骤1：输入待填充的版图、给定的版图金属密度的下界L和上界U、近似精度![]()
、哑元金属块尺寸![]()
和间距![]()
以及哑元金属填充与信号线之间的距离![]()
；步骤2：将最小化耦合电容影响的哑元金属填充问题转化成一种特殊的覆盖线性规划问题； 步骤3：用完全多项式时间近似算法FPTAS求解最小哑元填充问题。
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