[发明专利]半导体装置、互补式金属氧化物半导体装置及集成电路有效
| 申请号： | 201010284460.3 | 申请日： | 2010-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN102024813A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 许俊豪;林正堂;王湘仪;李文钦;谢孟桂 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/49 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种半导体装置、互补式金属氧化物半导体装置及集成电路，该半导体装置包括：一第一金属氧化物半导体结构及一第二金属氧化物半导体结构。第一金属氧化物半导体结构，包括：一第一栅极介电层，位于一基底上；一第一功函数金属层，位于第一栅极介电层上；以及一第一硅化物，位于第一功函数金属层上。第二金属氧化物半导体结构，包括：一第二栅极介电层，位于基底上；一第二功函数金属层，位于第二栅极介电层上；以及一第二硅化物，位于第二功函数金属层上。其中，第一硅化物不同于第二硅化物。本发明可实质上排除Al扩散的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 互补 金属 氧化物 集成电路 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：一第一金属氧化物半导体结构，包括：一第一栅极介电层，位于一基底上；一第一功函数金属层，位于该第一栅极介电层上；以及一第一硅化物，位于该第一功函数金属层上；以及一第二金属氧化物半导体结构，包括：一第二栅极介电层，位于该基底上；一第二功函数金属层，位于该第二栅极介电层上；以及一第二硅化物，位于该第二功函数金属层上；其中该第一硅化物不同于该第二硅化物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010284460.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：无极灯风冷装置
- 下一篇：一种提高永磁操动真空断路器寿命的控制方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
