[发明专利]半导体存储器件以及多层芯片半导体器件有效
| 申请号： | 201010282858.3 | 申请日： | 2010-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN102024489A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 黑田真实 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C11/40 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 郭定辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 这里公开了半导体存储器件和多层芯片半导体器件。该半导体存储器件包括：半导体基片；在半导体基片上形成并被配置为允许数据输入和输出的多个焊盘；以及集成在半导体基片上的存储器芯块以及I/O块。有效地以两倍的最大存取速率输入数据项到多个焊盘和从多个焊盘输出数据项。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 以及 多层 芯片 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：半导体基片；多个焊盘，在所述半导体基片上形成并被配置为允许数据输入和输出；以及集成在所述半导体基片上的存储器芯块以及输入/输出块；其中，对于所述存储器芯块的每两条数据线以及两个数据项输入到以及从其输出的每两个所述焊盘，所述输入/输出块被配置为以确定两个数据项与两个焊盘中的哪个相对应的方式来基于输入地址信号而互补地切换互连的数据线以及焊盘的组合，基于有关所述组合的信息而确定对于其存储器地址存取所述两条数据线之一，由此有效地以两倍的最大存取速率输入数据项到所述多个焊盘和从所述多个焊盘输出数据项。
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