[发明专利]基于碳化硅金属半导体场效应管结构的β辐照探测器

摘要

本发明公开了一种基于碳化硅金属半导体场效应晶体管结构的β射线辐照探测器，主要解决了现有β辐照探测器抗辐照性能不佳和能量转换效率低的问题。该探测器自下而上包括n型衬底(8)、p型缓冲层(7)、浓度为3.5～4×1017cm-3的n型沟道(6)、n型缓冲层(5)和欧姆接触层(4)，欧姆接触层上淀积源漏极(2)，n型缓冲层上淀积半透明肖特基接触层(1)，该肖特基接触层由高势垒肖特基金属Au/Ti/Pt构成，其埋入n型缓冲层(5)的深度为0.06～0.08μm，栅极和源漏极以外的表面区域覆盖有一层SiO2钝化层(3)。本发明具有抗辐照能力强、能量转换效率高、探测效率高的特点，可用于核能中对β射线的探测。

主权项

一种基于碳化硅金属半导体场效应管结构的β辐照探测器，自下而上包括n型衬底(8)、p型缓冲层(7)、n型沟道(6)、n型缓冲层(5)和两侧n+掺杂的欧姆接触层(4)，该欧姆接触层上淀积有金属Ni作为源漏极(2)、n型缓冲层中间区域淀积半透明肖特基接触层(1)，并埋入n型缓冲层(5)内，该肖特基接触层由高势垒肖特基金属Au/Ti/Pt构成，栅极和源漏极以外的表面区域覆盖有一层SiO2钝化层(3)，其特征在于n型沟道的浓度为3.5～4×1017cm‑3，肖特基接触层(1)埋入n型缓冲层(5)的深度为0.06～0.08μm。