[发明专利]一种<111>织构纳米孪晶Cu块体材料及制备方法

摘要

本发明涉及纳米结构金属材料领域，具体地说是一种<111>织构纳米孪晶Cu块体材料及制备方法，其微观结构由柱状晶粒组成，晶粒尺寸在1-50微米范围内，各晶粒内部均匀分布着高密度的纳米孪晶片层结构，孪晶片层的厚度从30纳米到几百纳米不等。结构特点：<111>织构，柱状晶粒，小角晶界；垂直于生长方向的纳米尺寸孪晶片层，∑3共格孪晶界面；晶粒尺寸、孪晶片层可控生长，块体，其强度可达到粗晶铜的10倍。本发明利用传统的直流电解沉积技术，只需对工艺条件稍作改变，控制适当的镀液组成和沉积参数即可。本发明可解决现有技术中铜材料存在的性能问题，获得的铜材料性能优良，具有高强度的同时，具有高热稳定性、高导电性和塑性。

主权项

一种<111>织构纳米孪晶Cu块体材料，其特征在于：该材料微观结构由微米尺寸的柱状晶粒组成，晶粒内部存在取向为<111>的纳米孪晶片层，同一柱状晶内的孪晶片层之间相互平行，孪晶片层的厚度从30纳米到1000纳米，长度贯穿整个晶粒。