[发明专利]一种THz波段氧化钒光开关及其制作方法无效
| 申请号： | 201010276138.6 | 申请日： | 2010-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN101950092A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 胡明;陈涛;梁继然;吕志军;后顺保 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01;H01P1/10;H01P11/00;C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 温国林 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种THz波段氧化钒光开关及其制作方法，涉及光通讯技术领域，氧化钒光开关由氧化钒薄膜构成，所述氧化钒光开关装载在太赫兹时域频谱系统或调制解调器中。该方法包括以下步骤：利用反应磁控溅射方法在硅衬底材料上制备氧化钒薄膜；利用太赫兹时域频谱系统产生THz波，当THz波传输时，激光激发所述氧化钒薄膜，使得THz波不能通过所述氧化钒薄膜，实现了所述氧化钒光开关的关闭；利用所述太赫兹时域频谱系统产生THz波，当THz波传输时，撤掉激光，使得THz波通过氧化钒薄膜，实现了所述氧化钒光开关的开启。通过本发明提供的THz波段氧化钒光开关及其光开关的制作方法，实现了开关速度快、插入损耗低、消光比高等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 thz 波段 氧化 开关 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种THz波段氧化钒光开关，其特征在于，所述氧化钒光开关由氧化钒薄膜构成，所述氧化钒薄膜装载在太赫兹时域频谱系统或调制解调器中。
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