[发明专利]半导体发光器件及其制造方法、以及晶片及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体发光器件、晶片、用于制造半导体发光器件的方法和用于制造晶片的方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括第一层、第二层以及发光部。第一层包含n型GaN和n型AlGaN中的至少一种。第二层包含p型AlGaN。发光部具有单量子阱结构。单量子阱结构包括第一势垒层、第二势垒层以及阱层。第一势垒层被设置在第一层与第二层之间并包含Alx1Ga1-x1-y1Iny1N(0＜x1，0≤y1，x1+y1＜1)。第二势垒层被设置在第一势垒层与第二层之间并包含Alx2Ga1-x2-y2Iny2N(0＜x2，0≤y2，x2+y2＜1)。阱层被设置在第一势垒层与第二势垒层之间，包含Alx0Ga1-x0-y0Iny0N(0≤x0，0＜y0，x0+y0＜1，y1＜y0，y2＜y0)并被配置为发射近紫外光。

主权项

一种半导体发光器件，包括：第一层，其包含n型GaN和n型AlGaN中的至少一种；第二层，其包含p型AlGaN；以及发光部，其具有单量子阱结构，所述单量子阱结构包括：第一势垒层，其被设置在所述第一层与所述第二层之间并包含Alx1Ga1‑x1‑y1Iny1N(0＜x1，0≤y1，x1+y1＜1)；第二势垒层，其被设置在所述第一势垒层与所述第二层之间并包含Alx2Ga1‑x2‑y2Iny2N(0＜x2，0≤y2，x2+y2＜1)；以及阱层，其被设置在所述第一势垒层与所述第二势垒层之间，包含Alx0Ga1‑x0‑y0Iny0N(0≤x0，0＜y0，x0+y0＜1，y1＜y0，y2＜y0)，并被配置为发射近紫外光。