[发明专利]半导体发光器件有效
| 申请号： | 201010275566.7 | 申请日： | 2010-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102157648A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 名古肇;橘浩一;彦坂年辉;木村重哉;布上真也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括：n型和p型半导体层、发光部、多层结构体以及n侧中间层。所述发光部被设置在所述半导体层之间。所述发光部包括包含GaN的势垒层以及被设置在所述势垒层之间的阱层。所述阱层包含Inx1Ga1-x1N。所述体被设置在所述n型半导体层与所述发光部之间。所述体包括：包含GaN的第一层以及被设置在所述第一层之间的第二层。所述第二层包含Inx2Ga1-x2N。第二In组成比x2不小于第一In组成比x1的0.6倍且低于所述第一In组成比x1。所述中间层被设置在所述体与所述发光部之间并包括包含Aly1Ga1-y1N(0＜y≤0.01)的第三层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，包括：n型半导体层，其包含氮化物半导体；p型半导体层，其包含氮化物半导体；发光部，其被设置在所述n型半导体层与所述p型半导体层之间，所述发光部包括：多个势垒层，其彼此层叠并包含GaN，以及阱层，其被设置在所述多个势垒层中的一个与所述多个势垒层中的另一个之间，所述阱层包含Inx1Ga1‑x1N，其中第一In组成比x1为In在III族元素中的原子比；多层结构体，其被设置在所述n型半导体层与所述发光部之间，所述多层结构体包括：多个第一层，其彼此层叠并包含GaN，以及第二层，其被设置在所述多个第一层中的一个与所述多个第一层中的另一个之间，所述第二层包含Inx2Ga1‑x2N，其中第二In组成比x2为In在III族元素中的原子比，所述第二In组成比x2不小于所述第一In组成比x1的0.6倍且低于所述第一In组成比x1；以及n侧中间层，其被设置在所述多层结构体与所述发光部之间并包括包含Aly1Ga1‑y1N的第三层，其中第一Al组成比y1为Al在III族元素中的原子比，所述第一Al组成比y1大于0且不大于0.01。
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