[发明专利]用于去除半导体器件结构上的光致抗蚀剂层的方法有效
| 申请号： | 201010275045.1 | 申请日： | 2010-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN102386088A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华;孟晓莹 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;谢栒 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种用于去除半导体器件结构上的光致抗蚀剂层的方法，所述方法包括：第一步骤，在等离子体灰化处理腔中使用第一灰化气体对所述半导体器件结构上的光致抗蚀剂层进行灰化；以及第二步骤，在所述等离子体灰化处理腔中使用第二灰化气体对所述半导体器件结构上的光致抗蚀剂层进行灰化，其中，所述第一灰化气体和所述第二灰化气体都包含N2和H2且不包含O2，并且所述第一灰化气体中H2所占的体积百分率小于所述第二灰化气体中H2所占的体积百分率。根据本发明的方法能够防止在采用等离子体灰化工艺去除光致抗蚀剂层的过程中对锗硅材料造成损伤，从而提高半导体器件的整体电学性能，并且能够缩短生产周期，从而提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 去除 半导体器件 结构 光致抗蚀剂层 方法 | ||
【主权项】：
一种用于去除半导体器件结构上的光致抗蚀剂层的方法，所述方法包括：第一步骤，在等离子体灰化处理腔中使用第一灰化气体对所述半导体器件结构上的光致抗蚀剂层进行灰化；以及第二步骤，在所述等离子体灰化处理腔中使用第二灰化气体对所述半导体器件结构上的光致抗蚀剂层进行灰化，其中，所述第一灰化气体和所述第二灰化气体都包含N2和H2且不包含O2，并且所述第一灰化气体中H2所占的体积百分率小于所述第二灰化气体中H2所占的体积百分率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
