[发明专利]交流发光二极管的制作工艺

摘要

本发明提供一种交流发光二极管的制作工艺，用以改进目前ACLED芯片制程使用中制作绝缘体时采用先填充再蚀刻的工艺；本发明在制作微型发光二极管之间的绝缘体时，采用先填充绝缘材料再研磨的工艺，使得绝缘体的表面高度与微型发光二极管的表面高度一致，且一并实现微型发光二极管的表面粗化均匀，提升交流发光二极管的发光效率，提高交流发光二极管芯片的生产效率和产品良率。

主权项

交流发光二极管的制作工艺，其特征在于包括以下工艺步骤：1）提供一衬底；2）形成N型氮化镓、发光区、P型氮化镓于衬底上；3）形成导电层在P型氮化镓上，构成LED晶片；4）通过光罩、蚀刻，在导电层的表面形成切割道，并从切割道切口蚀刻至衬底表面，使得各微型LED晶片相互隔开；5）通过光罩、蚀刻，从导电层表面蚀刻至暴露出N型氮化镓台面；6）在各微型LED晶片之间填充绝缘层并覆盖导电层表面，用于绝缘各微型LED晶片且保护导电层表面；7）通过研磨工艺，使得绝缘层的表面高度与微型LED晶片的表面高度一致并且使得微型LED晶片的表面粗化均匀；8）通过光罩、蚀刻，分别在导电层和N型氮化镓上制作P电极和N电极；9）制作导电架桥，连接相邻的微型发光二极管表面的P电极和N电极且覆盖绝缘层，以使各微型发光二极管的发光层在施加交流电后，依该交流电正负半波交替发光。