[发明专利]用于半导体晶片和器件的镍锡接合系统在审
| 申请号： | 201010271760.8 | 申请日： | 2007-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101958379A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 小大卫·B·司拉特;约翰·A·埃德蒙;孔华双 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/762 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于半导体晶片和器件的镍锡接合系统。公开的半导体晶片、衬底和接合结构包括例如包括多个发光二极管的器件晶片、在器件晶片与发光二极管相对的一侧上的接触金属层(或多层)以及在接触金属层上的重量主要为镍和锡的接合金属系统。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 晶片 器件 接合 系统 | ||
【主权项】：
一种发光二极管接合结构，包括：具有外延层的器件晶片；在所述器件晶片与所述外延层相对的一侧上的接触金属层；和在所述接触金属层上的接合金属系统，该接合金属系统在重量上占主要成份的是镍和锡。
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