[发明专利]低功耗抗疲劳的相变存储单元及制备方法有效
| 申请号： | 201010271248.3 | 申请日： | 2010-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN101931049A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 宋三年;宋志棠;吕业刚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低功耗抗疲劳的相变存储单元，包括：下电极，位于下电极之上的介质材料过渡层，位于介质材料过渡层之上的复合相变材料层以及复合相变材料层之上的上电极；介质材料过渡层采用第一介质材料，为Ta2O5、TiO2、CeO2中的一种或多种；复合相变材料层为相变材料和第二介质材料构成的复合材料，第二介质材料为SiO2、HfO2、Ta2O5、TiO2、CeO2中的一种或多种。本发明还提供了制备该低功耗抗疲劳的相变存储单元的方法，所得相变存储单元可减小热量损失，防止相变材料挥发，提高热稳定性，优化界面，减小相变前后应力变化，有利于器件性能的稳定，一方面降低了器件功耗，另一方面提高了器件的抗疲劳特性。 | ||
| 搜索关键词： | 功耗 疲劳 相变 存储 单元 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低功耗抗疲劳的相变存储单元，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底之上的下电极；位于所述下电极之上的绝缘层，所述绝缘层中开设有通孔；位于所述通孔内的介质材料过渡层，所述介质材料过渡层与所述下电极接触；位于所述介质材料过渡层之上的复合相变材料层，所述复合相变材料层位于所述通孔内；以及位于所述复合相变材料层之上的上电极；其中，所述介质材料过渡层采用不与所述复合相变材料层发生反应的第一介质材料，所述第一介质材料为Ta2O5、TiO2、CeO2中的一种或多种；所述复合相变材料层为相变材料和第二介质材料构成的复合材料，所述第二介质材料为SiO2、HfO2、Ta2O5、TiO2、CeO2中的一种或多种。
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