[发明专利]一种制备光电制氢电极的方法以及光电制氢电极无效
| 申请号： | 201010269960.X | 申请日： | 2010-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN101906642A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 丁天朋;赵伟;赵云峰;沈晓彦 | 申请（专利权）人： | 新奥科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C25B11/00 | 分类号： | C25B11/00;C25B9/04;C25B1/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 柳春琦 |
| 地址： | 065000 河北省廊坊市经济*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备光电制氢电极的方法以及由该方法制备的光电制氢电极。所述光电制氢电极的制备方法包括如下步骤：第一步，提供阳极氧化基底；第二步，配制用于形成氧化物纳米多孔膜的浆料，其中浆料包含的氧化物是阳极氧化基底的前体金属的氧化物；第三步，将浆料涂覆到阳极氧化基底上以使浆料在阳极氧化基底上形成膜；以及第四步，将其上已形成有膜的阳极氧化基底进行烧结。本发明采用简单的刮涂法，在阳极氧化基底例如阳极氧化WO3基底上制备了价格低廉的氧化物纳米多孔膜比如WO3薄膜结构，由本发明的方法所制备的电极稳定性好，结合紧密，光电流响应高，WO3结晶度好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 光电 电极 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种制备光电制氢电极的方法，所述方法包括如下步骤：第一步，提供阳极氧化基底；第二步，配制用于形成金属氧化物纳米多孔膜的浆料，其中所述浆料包含的金属氧化物是所述阳极氧化基底的前体金属的氧化物；第三步，将所述浆料涂覆到所述阳极氧化基底上以使所述浆料在所述阳极氧化基底上形成膜；以及，第四步，将其上已形成有膜的阳极氧化基底进行烧结。
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