[发明专利]掩膜版制作方法及系统无效
申请号: | 201010268664.8 | 申请日: | 2010-09-01 |
公开(公告)号: | CN102385242A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 黄旭鑫;王谨恒;张雷;陈洁 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G06F17/50 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 常亮;李辰 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种掩膜版制作方法及系统,该方法包括:a)确定光刻工艺条件,并收集所述光刻工艺条件对应的OPC数据;b)根据所述OPC数据创建OPC模型,建立OPC程序;c)提供设计图形数据,按照设计规则对设计图形数据进行预处理,将所述设计图形数据转换为符合设计规则的图形数据;d)根据所述OPC程序,对所述预处理后的设计图形数据进行OPC运算;e)验证OPC运算后的图形数据的CD与目标CD的差值是否在误差允许范围内,如果否,返回步骤b),如果是,按照OPC运算后的图形数据制作掩膜版。采用本发明的方法制作出的掩膜版满足光刻过程的需求,使光刻后在晶片上的成像更加准确,提高了电路的性能和生产成品率。 | ||
搜索关键词: | 掩膜版 制作方法 系统 | ||
【主权项】:
一种掩膜版制作方法,其特征在于,包括:a)确定光刻工艺条件,并收集所述光刻工艺条件对应的OPC数据;b)根据所述OPC数据创建OPC模型,由所述OPC模型建立OPC程序;c)提供设计图形数据,按照设计规则对所述设计图形数据进行预处理,将所述设计图形数据转换为符合设计规则的图形数据;d)根据所述OPC程序,对所述预处理后的设计图形数据进行OPC运算;e)验证所述OPC运算后的图形数据的CD与目标CD的差值是否在误差允许范围内,如果否,返回步骤b),如果是,按照所述OPC运算后的图形数据制作掩膜版。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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