[发明专利]相变存储器的制造方法有效
| 申请号： | 201010267388.3 | 申请日： | 2010-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102376883A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 李凡;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种相变存储器的制造方法，包括：提供形成有第一相变材料层的基底；在所述第一相变材料层上依次形成第一绝缘层和第二绝缘层；形成位于第二绝缘层的第一贯穿孔；形成位于第一绝缘层，并且孔径大于第一贯穿孔的第二贯穿孔；向第二贯穿孔及第一贯穿孔、第一绝缘层上沉积绝缘材料，使所述绝缘材料在第二贯穿孔内围成孔隙；蚀刻所述绝缘材料，在孔隙下方形成露出第一相变材料层的第三贯穿孔，所述第三贯穿孔用于形成连接第一相变材料层的互连结构。本发明的制造方法可以形成尺寸较小的互连结构，使相位存储器具有较为优异的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供形成有第一相变材料层的基底；在所述第一相变材料层上依次形成第一绝缘层和第二绝缘层；形成位于第二绝缘层的第一贯穿孔；形成位于第一绝缘层，并且孔径大于第一贯穿孔的第二贯穿孔；向第二贯穿孔及第一贯穿孔、第一绝缘层上沉积绝缘材料，使所述绝缘材料在第二贯穿孔内围成孔隙；蚀刻所述绝缘材料，在孔隙下方形成露出第一相变材料层的第三贯穿孔，所述第三贯穿孔用于形成连接第一相变材料层的互连结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010267388.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：接收器及用于在无线网络中由接收器接收节点的方法
- 下一篇：一种咬合器
