[发明专利]在SOI上制备多孔硅的方法无效
| 申请号： | 201010266478.0 | 申请日： | 2010-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN102383177A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 钟福如;吕小毅;莫家庆;贾振红;江涛 | 申请（专利权）人： | 新疆大学 |
| 主分类号： | C25F3/12 | 分类号： | C25F3/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 830046 新疆维吾*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 一种基于横向电流的电化学腐蚀制备多孔硅材料的新方法。该方法通过垫片(密封圈)将腐蚀面分成内外两个区域，在外区域施加正电流，内区域为负极，进行阳极电化学腐蚀。调节不同电流和腐蚀时间，可以在SOI硅片上制备单层或多层多孔硅。此方法利用成熟的电化学腐蚀工艺，采用的制备方法简单，成本低廉，具有一定的推广价值。 | ||
| 搜索关键词： | soi 制备 多孔 方法 | ||
【主权项】：
一种基于施加横向电流进行电化学腐蚀制备多孔硅材料的新方法，该方法通过密封圈将待腐蚀硅片分成内外两个区域，内侧是腐蚀区域，外区域做电极，由计算机控制的信号发生器提供反应电流，其特征是可以在SOI硅片上进行电化学腐蚀。
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