[发明专利]一种纵向超结金属氧化物场效应晶体管器件及其制备方法无效
| 申请号： | 201010265789.5 | 申请日： | 2010-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN102386224A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 李海松;刘侠;王钦;陈文高;易扬波 | 申请（专利权）人： | 苏州博创集成电路设计有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纵向超结金属氧化物场效应晶体管器件及其制备方法，所述器件包括：N型掺杂半导体衬底，在所述N型掺杂半导体衬底上面设有N型掺杂外延层，在所述N型掺杂外延层的内部设有不同深度的P型掺杂深阱区，在部分所述P型掺杂深阱区的上侧设有P型掺杂区，在所述P型掺杂区中设有N型掺杂源极接触区。本发明所述器件结构设有不同阶梯深度的P型掺杂深阱区，其能够降低终端区域电场峰值，优化电势的均匀分布，有效的提高器件的横向耐压水平。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纵向 金属 氧化物 场效应 晶体管 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纵向超结金属氧化物场效应晶体管器件，包括：N型掺杂半导体衬底(1)，所述N型掺杂半导体衬底(1)的上面设有N型掺杂外延层(2)，所述N型掺杂外延层(2)的内部设有第一P型掺杂深阱区(31)、第二P型掺杂深阱区(32)和第三P型掺杂深阱区(33)，所述第一P型掺杂深阱区(31)的上侧设有P型掺杂区(4)，所述P型掺杂区(4)中设有N型掺杂源极接触区(7)，部分所述N型掺杂源极接触区(7)、部分所述P型掺杂区(4)、部分所述N型掺杂外延层(2)和所述第二P型掺杂深阱区(32)、第三P型掺杂深阱区(33)的上方设有栅氧化层(5)，部分所述栅氧化层(5)的上方设有多晶硅(6)，在部分所述栅氧化层(5)的上方设有介质氧化层(8)，在部分所述N型掺杂源极接触区(7)和部分所述P型掺杂区(4)的上方设有金属电极层(9)；所述第一P型掺杂深阱区(31)、所述P型掺杂区(4)、所述N型掺杂源极接触区(7)、所述栅氧化层(5)和所述多晶硅(6)共同构成所述纵向超结金属氧化物场效应晶体管器件的内部原胞区域(100)，所述第二P型掺杂深阱区(32)和所述第三P型掺杂深阱区(33)共同构成所述纵向超结金属氧化物场效应晶体管器件的终端耐压结构区域(101)，其特征在于，所述第一P型掺杂深阱区(31)、所述第二P型掺杂深阱区(32)和所述第三P型掺杂深阱区(33)的深度均不相同，所述P型掺杂深阱区(31)只在所述内部原胞区域(100)中出现，所述第二P型掺杂深阱区(32)和所述第三P型掺杂深阱区(33)只在所述终端耐压结构区域(101)中出现。
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