[发明专利]一种片式过压保护器及其制备方法无效
| 申请号： | 201010265193.5 | 申请日： | 2010-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN101950645A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 杨理强;张远生;杨晓平;邓进甫;兰昌云;李国贵 | 申请（专利权）人： | 广东风华高新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/12 | 分类号： | H01C7/12;H01C17/00 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 华辉;周端仪 |
| 地址： | 526020 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种片式过压保护器及其制备方法，其包括陶瓷基片，该陶瓷基片背面设有背电极；正面由内到外依次设有：通过真空溅射方法形成的导电薄膜层、采用陶瓷靶材及真空溅射或真空镀膜方法形成的过压保护体、覆盖过压保护体及部分导电薄膜层的表层保护层；陶瓷基片两端侧面通过真空溅射方法形成侧导电极。本发明所得的片式过压保护器不仅体积小、结构简单，且具备响应时间快(15-25ns)、残压低、无续流、寄生电容小(一般可作到1-5pF)等特点，可适用于集成电路及印制电路，并符合元器件微、薄型化发展方向。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 保护 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种片式过压保护器，其特征在于：包括陶瓷基片，该陶瓷基片背面设有背电极；正面由内到外依次设有：通过真空溅射方法形成的导电薄膜层、采用陶瓷靶材及真空溅射或真空镀膜方法形成的过压保护体、覆盖过压保护体及部分导电薄膜层的表层保护层；陶瓷基片两端侧面通过真空溅射方法形成侧导电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东风华高新科技股份有限公司，未经广东风华高新科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010265193.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
