[发明专利]聚芳醚腈/碳纳米管薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201010264014.6 | 申请日： | 2010-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN101914278A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 曾学良;曾尔华;汪学军;钱丰 | 申请（专利权）人： | 绵阳鸿琪新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C08L71/10 | 分类号： | C08L71/10;C08K13/04;C08K7/00;C08K3/04;C08K5/42;B29C39/14;B29C39/44 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人： | 罗丽;武森涛 |
| 地址： | 621000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于高分子介电材料领域，特别涉及一种聚芳醚腈/碳纳米管抗静电薄膜及其制备方法。本发明要解决的技术问题是提供一种耐高温、高强度、抗静电的聚芳醚腈/碳纳米管薄膜。本发明的聚芳醚腈/碳纳米管抗静电薄膜按重量份计是由97～100份聚芳醚腈、0.5～2.5份碳纳米管和0.03～0.12份十二烷基苯磺酸钠组成。本发明通过十二烷基苯磺酸钠对碳纳米管进行表面改性，在碳纳米管用量很小的情况下提高聚芳醚腈薄膜的导电性而不破坏聚芳醚腈的机械性能，还可以进一步提高聚芳醚腈薄膜的力学性能。本发明的聚芳醚腈/碳纳米管抗静电薄膜均匀致密，具有优异的电性能、力学性能和热性能，可广泛应用于航空航天、电子器件等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 聚芳醚腈 纳米 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
聚芳醚腈/碳纳米管薄膜，其特征在于：按重量份计是由97～100份聚芳醚腈、0.5～2.5份碳纳米管和0.03～0.12份十二烷基苯磺酸钠组成。
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