[发明专利]用于MOCVD系统中控制外延片温度及均匀性的装置与方法有效
| 申请号: | 201010263355.1 | 申请日: | 2010-08-20 |
| 公开(公告)号: | CN101906622A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
| 发明(设计)人: | 陈爱华;金小亮 | 申请(专利权)人: | 华晟光电设备(香港)有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/458 |
| 代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 张静洁 |
| 地址: | 中国香港湾仔谢斐道*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 一种用于MOCVD系统中控制外延片温度及均匀性的装置,托盘上方沿径向设置一组非接触、发光补偿的光学温度计,反馈托盘上多个环状区域内单个或多个外延片的温度。温度控制器以外延片温度的统计平均值与外延工艺规定温度的差异最小为目标,独立控制托盘下方的若干加热元件的功率输出。每个环状区域内的多个外延片,由下方一个或相邻多个环状排列、径向覆盖面积较小的加热元件来对应加热,在不同温度的工艺条件下,能有效平衡外延片及托盘在径向的热量流失,实现对单个外延片和相邻外延片之间温度及均匀性的精确与稳定的控制。本发明还通过设置接触式热电耦温度计来测量加热器温度,作为外延工艺规定温度的参照点,同时监测加热器是否正常工作。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 mocvd 系统 控制 外延 温度 均匀 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种用于MOCVD系统中控制外延片温度及均匀性的装置,包含通过上表面设置的若干凹盘(11)对应放置有若干外延片(40)的托盘(10)、设置在所述托盘(10)上方的一组非接触、发光补偿的光学温度计(21),以及设置在托盘(10)下方的加热器(30),其特征在于,所述托盘(10)沿径向设置有若干同圆心但半径递增的环状区域,所述若干外延片(40)分布排列在该若干环状区域内;所述一组非接触光学温度计(21)沿径向排列在所述托盘(10)上方,每个或相邻若干个非接触光学温度计(21),对应检测所述托盘(10)上同一环状区域内的至少一个或多个外延片(40)的温度;所述加热器(30)包含同圆心设置的一组环状排列、独立功率输入的加热元件(31),每个或相邻若干个所述加热元件(31)通过加热托盘(10),主要对应加热托盘(10)上排列在同一环状区域上的若干外延片(40)。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





