[发明专利]太阳能电池的选择性发射极的制造方法

摘要

本发明涉及一种太阳能电池的选择性发射极的制造方法，其是在一半导体基板上进行掺杂，并形成一高掺杂层及一低掺杂层，再利用一遮盖层形成一遮盖区域及一开放区域，该遮盖层以网版印刷的方式形成，接着对该高掺杂层进行蚀刻，使该开放区域留下低掺杂层，从而达到太阳能电池选择式发射极的制造。此外，本发明的遮盖层是利用网版印刷的方式形成，其制程成本较低，可以有效降低选择式太阳能电池的制造成本。

主权项

一种太阳能电池的选择性发射极的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括下列步骤：S1：提供一半导体基板(10)，其具有一正表面(11)及一背表面(12)；S1A：进行表面蚀刻，先洗净所述半导体基板(10)，再利用一蚀刻液对所述半导体基板(10)的正表面(11)及背表面(12)进行表面蚀刻，增加所述半导体基板(10)的表面粗糙度以降低光线入射时的反射；S2：对所述半导体基板(10)进行掺杂，一掺杂区域(20)形成于所述半导体基板(10)的正表面(11)上，所述掺杂区域(20)包含有一远离所述半导体基板(10)形成的高掺杂层(21)及一与所述半导体基板(10)连接的低掺杂层(22)，且一硅玻璃层(30)形成于所述高掺杂层(21)的远离所述低掺杂层(22)的表面；S3：设置一遮盖层(40)于所述硅玻璃层(30)上，所述遮盖层(40)于所述硅玻璃层(30)上形成一遮盖区域(41)及一开放区域(42)；S4：对所述硅玻璃层(30)进行蚀刻，利用一酸蚀刻液对所述开放区域(42)下的所述硅玻璃层(30)进行蚀刻；S5：去除所述遮盖层(40)，蚀刻去除所述遮盖层(40)，留下所述遮盖区域(41)下的所述硅玻璃层(30)；S6：对所述高掺杂层(21)进行蚀刻，利用所述蚀刻液对所述开放区域(42)下的所述高掺杂层(21)进行蚀刻并留下所述低掺杂层(22)；及S7：去除所述遮盖区域(41)下的所述硅玻璃层(30)，利用所述酸蚀刻液对剩下的所述硅玻璃层(30)进行蚀刻去除。