[发明专利]半导体集成电路有效

专利信息
申请号: 201010261318.7 申请日: 2010-08-23
公开(公告)号: CN102005451A 公开(公告)日: 2011-04-06
发明(设计)人: 田中义则 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L27/04 分类号: H01L27/04
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 彭久云
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体集成电路,其中所希望电路通过结合和布置多个标准单元并且将该单元连接在一起而形成,该多个标准单元的单元长度,即,一对相对边之间的间隔被标准化,形成所希望电路的多个标准单元包括互补同相驱动标准单元,每个互补同相驱动标准单元都包括导电类型彼此互补且栅极电极连接在一起的多个互补晶体管对,并且全部互补晶体管对的N(≥2)对被同相驱动,互补同相驱动标准单元的标准单元长度的尺寸定义为M倍单元长度,该M倍单元长度是单个互补晶体管对的基本单元长度的M(N≥M≥2)倍。
搜索关键词: 半导体 集成电路
【主权项】:
一种半导体集成电路,其中通过结合和布置多个标准单元且将所述多个标准单元连接在一起而形成所希望的电路,所述多个标准单元的单元长度,即,一对相对边之间的间隔被标准化,形成所述所希望的电路的所述多个标准单元包括互补同相驱动标准单元,该互补同相驱动标准单元的每个都包括导电类型彼此互补且栅极电极连接在一起的多个互补晶体管对,并且全部所述互补晶体管对中的N(≥2)对被同相驱动,而且所述互补同相驱动标准单元的标准化的所述单元长度的尺寸定义为M倍单元长度,该M倍单元长度是单个互补晶体管对的基本单元长度的M(N≥M≥2)倍,并且将被同相驱动的N个互补晶体管对中的至少M对的公用栅极电极呈直线地布置在所述M倍单元长度的方向上。
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