[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201010261233.9 | 申请日： | 2010-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN101996976A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 奥村美香;堀川牧夫;村上刚史 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及其制造方法。具有：半导体衬底(1)；彼此隔离且从第一主表面(10)朝向半导体衬底(1)的深度方向设置的电极(30a)以及电极(30b)；将电极(30a)以及电极(30b)彼此之间连结，并且不贯通半导体衬底(1)而从第一主表面(10)朝向半导体衬底(1)的深度方向设置的布线部(40a)。电极(30a)成为贯通半导体衬底(1)并达到第二主表面(20)的贯通电极。在具有贯通电极并且在纵向层叠的半导体装置中，具有布线部(40a)，从而能够扩大设计的自由度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体衬底，具有第一以及第二主表面；多个电极，彼此隔开并且从所述第一主表面朝向所述半导体衬底的深度方向设置；布线部，将任意的多个所述电极彼此间连结，不贯通所述半导体衬底地从所述第一主表面朝向所述半导体衬底的深度方向设置，以将所述电极中的任意的多个所述电极彼此电连接；以及第一绝缘膜，设置在多个所述电极以及所述布线部和所述半导体衬底之间，利用所述布线部电连接的所述电极中的至少一个所述电极是贯通所述半导体衬底达到所述第二主表面的贯通电极。
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