[发明专利]线路基板工艺有效
| 申请号： | 201010260690.6 | 申请日： | 2010-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN101937852A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 李瑜镛;姜成模;裴栒兴;韩昌奭 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种线路基板工艺。首先，提供导电结构，包括第一图案化导电层、第一介电层、第二介电层、第一导电层及第二导电层。第一介电层及第二介电层分别配置于第一图案化导电层相对的两表面。第一导电层及第二导电层分别配置于第一介电层及第二介电层。第一介电层位于第一图案化导电层与第一导电层之间。第二介电层位于第一图案化导电层与第二导电层之间。接着，形成导电孔道于导电结构。图案化第一导电层及第二导电层以分别形成第二图案化导电层及第三图案化导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 线路 工艺 | ||
【主权项】：
一种线路基板工艺，包括：提供导电结构，其中该导电结构包括：第一图案化导电层；第一介电层及第二介电层，分别配置于该第一图案化导电层相对的两表面；第一导电层及第二导电层，分别配置于该第一介电层及该第二介电层，其中该第一介电层位于该第一图案化导电层与该第一导电层之间，该第二介电层位于该第一图案化导电层与该第二导电层之间；形成导电孔道于该导电结构，其中该导电孔道电性连接该第一图案化导电层、该第一导电层及第二导电层的至少其中之二；以及图案化该第一导电层及该第二导电层以分别形成第二图案化导电层及第三图案化导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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