[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010259745.1 | 申请日： | 2010-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN102237393A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 李东根;金成贤 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾红霞;何胜勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括单元区域和外围区域，所述半导体器件还包括：保护环区域，其设置在所述单元区域与所述外围区域之间，并且所述保护环区域具有阻挡结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种包括单元区域和外围区域的半导体器件，所述半导体器件包括：保护环区域，所述保护环区域设置在所述单元区域与所述外围区域之间，并且所述保护环区域具有阻挡结构。
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