[发明专利]纳米ZnO填充改性PEEK薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201010258955.9 | 申请日： | 2010-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN102372898A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 刘楠;吴杰;马俊杰;李峰;王兴年;黄水萍;孙东岩 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨鑫达高分子材料工程中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C08L61/16 | 分类号： | C08L61/16;C08K3/22;B29C47/12;B29C47/92;B29C55/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150066 黑龙江省哈*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新材料，具体为纳米ZnO填充改性PEEK薄膜，纳米ZnO填充改性PEEK薄膜由以下重量份组成：85％～99.9％的PEEK纯树脂和0.1～15％的纳米ZnO。本发明纳米ZnO填充改性PEEK薄膜的制备方法如下：(1)按重量份称取原材料；(2)将所有原料在室温下利用超高速混合机进行简单混合，使其混合均匀；(3)将混合好的原料加到螺杆挤出机中，在330～420℃的温度下经T型机头熔融挤出，制成平片状薄膜。(4)将制备的平片状薄膜在155～260℃纵向单轴拉伸，得到具有一定取向度的薄膜。即获得本发明的纳米ZnO填充PEEK薄膜。本发明纳米ZnO填充改性PEEK薄膜具有优良的耐高温、透光性及抗紫外线性能，除此之外还保持了PEEK薄膜优良的力学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 zno 填充 改性 peek 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米ZnO填充改性PEEK薄膜，其特征在于有以下重量份原料组成：85～99.9％的PEEK和0.1～15％的纳米ZnO。
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