[发明专利]半导体器件及其形成方法无效
| 申请号： | 201010256002.9 | 申请日： | 2010-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN102222668A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 张治焕 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/52;H01L21/77;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾红霞;何胜勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件及其形成方法，该半导体器件包括：导电图案，其形成于基板上；层间介电层，其形成于导电图案上；触点插塞，其延伸穿过层间介电层而连接至导电图案；半导体层和绝缘层，其依次形成在层间介电层上；电极图案，其形成于绝缘层上；以及覆盖绝缘层图案，其将触点插塞以及相邻电极图案的上部的覆盖。无需额外工序来限定有源区。无需除栅极图案以外的有源区。无需形成存储电极触点线。降低了连接插塞的高度从而降低了连接插塞电阻值。无需形成接面区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：导电图案，其形成于基板上；层间介电层，其形成于所述导电图案上；触点插塞，其延伸穿过所述层间介电层以接触所述导电图案；半导体层，其设在所述触点插塞和所述层间介电层上；绝缘层，其设在所述半导体层上；电极图案，其设在所述绝缘层上；以及覆盖绝缘层图案，其将位于所述触点插塞的侧部处的相邻电极图案的上部覆盖。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司，未经海力士半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010256002.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
