[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201010254813.5 申请日: 2010-08-13
公开(公告)号: CN102116980A 公开(公告)日: 2011-07-06
发明(设计)人: 张真稀;赵兴烈 申请(专利权)人: 乐金显示有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;G02F1/1333;H01L27/02;H01L21/77
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国;钟强
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。该薄膜晶体管阵列基板包括:基板;栅线和数据线,设置为彼此交叉以在基板上限定像素区;开关元件,设置在栅线和数据线的交叉处;第二像素电极和第一公共电极,在基板上设置的保护膜上形成的像素区中交替地排列;第二公共电极,形成为与插入在栅绝缘膜和保护膜之间的数据线重叠;第一存储电极,形成在基板上;第二存储电极,形成为与第一存储电极重叠,并与开关元件的漏电极一体地形成;以及有机绝缘膜,形成在开关元件、第二存储电极、数据线、栅焊盘和数据焊盘的上方。所述第二公共电极形成为覆盖数据线、保护膜和有机绝缘膜,并具有到达像素区中的保护膜的倾斜面。
搜索关键词: 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法
【主权项】:
一种薄膜晶体管阵列基板,包括:基板;栅线和数据线,设置为彼此交叉以在所述基板上限定像素区;开关元件,设置在所述栅线和所述数据线的交叉处;第二像素电极和第一公共电极,在所述基板上设置的保护膜上形成的所述像素区中交替地排列;第二公共电极,形成为与在栅绝缘膜和所述保护膜之间的所述数据线重叠;第一存储电极,形成在所述基板上;第二存储电极,形成为与所述第一存储电极重叠,并与所述开关元件的漏电极一体地形成;以及有机绝缘膜,形成在所述开关元件、所述第二存储电极、所述数据线、栅焊盘和数据焊盘的上方,其中所述第二公共电极形成为覆盖所述数据线、所述保护膜和所述有机绝缘膜,并具有到达所述像素区中的保护膜的倾斜面。
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