[发明专利]一种SOINMOS总剂量辐照建模方法有效
| 申请号： | 201010251985.7 | 申请日： | 2010-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN102375896A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 卜建辉;毕津顺;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100028 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种SOI NMOS总剂量辐照建模方法，属于提参建模技术领域。所述方法包括：获取SOI NMOS辐照前模型参数，并在模型参数中加入与总剂量相关的参数，形成含有未知参数的SOI NMOS总剂量辐照模型；获取SOINMOS总剂量辐照模型中未知参数的数值，形成最终的总剂量辐照模型。通过本发明的建模方法，使得总剂量辐照模型更加全面可靠；另外，本发明还实现了对新加模型参数提取的自动化，使得复杂的提参建模变得更加简单和高效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 soinmos 剂量 辐照 建模 方法 | ||
【主权项】：
一种SOI NMOS总剂量辐照建模方法，其特征在于，所述方法包括：获取SOI NMOS辐照前模型参数，并在所述模型参数中加入与总剂量相关的参数，形成含有未知参数的SOI NMOS总剂量辐照模型；获取所述SOI NMOS总剂量辐照模型中未知参数的数值，形成最终的总剂量辐照模型。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010251985.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：成膜掩模
- 下一篇：应用产品开发系统、方法、装置和运行系统、方法、装置
