[发明专利]用于制备应变沟道CMOS的等效应变记忆方法

摘要

本发明制备应变沟道CMOS的等效应变记忆方法是涉及集成电路的制作，特别是通过等效应变记忆方法引入的应变技术，分别为互补金属氧化物半导体场效应晶体管CMOS中的NFET与PFET器件提供张应变与压应变。该发明提供的记忆方法是通过表面剪切应力在衬底表面引入应变，此应变的大小会随纵向深度不同而变化，但不随表面内横向尺寸的改变而变化，并通过侧壁正应力而保留沿沟道方向的等效应变。用本方法制作出来的晶体管在特征尺寸为几微米情况下，沟道仍具有较大应变，并能提高器件与电路的频率特性。

主权项

用于制备应变沟道CMOS的等效应变记忆方法，其特征在于通过表面剪切应力在衬底表面引入应变，此应变大小会随纵向深度不同而变化，但不随表面内横向尺寸的改变而变化，然后，通过侧壁正应力而保留沿沟道方向的等效应变，其制作步骤如下：1)在衬底表面淀积具有高本征应力的介质层，在表面衬底表面层引入应变；2)在垂直于表面的方向进行应变限定或增强，且消除或减弱应变区的恢复力，阻止应变的释放，使应力转换而保留沟道方向上所需的应变；3)退火处理，使应变区与应力源组织稳定化和均匀化；4)去掉表面应力源后，在引入应变的衬底上制作第一晶体管(120A)，第二晶体管(120B)。