[发明专利]具有凹陷沟道的应变半导体装置以及形成该装置的方法无效
| 申请号： | 201010250734.7 | 申请日： | 2010-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102222694A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 郑振辉;冯家馨;蔡瀚霆;蔡明桓;范玮寒;宋学昌;王海艇;吕伟元;罗先庆;陈冠仲 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有应力沟道(strained channel)的半导体装置以及制造该装置的方法。此半导体装置具有形成在沟道凹陷上的栅极。以应力引发材料(stress-inducing material)填入形成于栅极两侧的第一凹陷及第二凹陷，该应力引发材料扩展进入源极/漏极延伸(source/drain extension)与栅极边缘重叠的区域。在一实施例中，沟道凹陷及/或第一与第二凹陷的侧壁可为沿着{111}刻面。本发明相较于其他已知系统可在沟道区显示较高且较均匀的应力。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 凹陷 沟道 应变 半导体 装置 以及 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：一基板；一栅极介电材料，位于该基板上；一栅极，位于该栅极介电材料上，该栅极设于该基板中的一第一凹陷上；以及源极/漏极区，位于该栅极两侧的基板中，该源极/漏极区包括在一应力引发材料位于该栅极两侧该基板的一第二凹陷及一第三凹陷中，该源极/漏极区包括凸起的源极/漏极延伸，而该源极/漏极延伸的一顶表面扩展至该第一凹陷的一底表面上方，该第二凹陷及该第三凹陷扩展进入该源极/漏极延伸与该栅极重叠的区域。
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