[发明专利]用于非易失性存储器存储系统的双范围目录有效

专利信息
申请号: 201010248967.3 申请日: 2010-08-06
公开(公告)号: CN102023930A 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: A·沃根 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G06F12/08 分类号: G06F12/08
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 刘瑜;王英
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 公开了一种设备、系统和方法。在一个实施例中,所述设备包括非易失性存储器(NVM)存储阵列以存储多个存储元素。所述设备还包括具有后台空间和前台空间的双范围目录结构。所述结构能够存储若干条目,其每一个对应于在NVM存储阵列中用于对存储元素进行存储的单元。后台空间包括针对如下存储元素的条目,该存储元素在没有对所述后台空间中的先前存储的存储元素进行任何部分重写的情况下被写入到所述阵列。前台空间包括针对如下存储元素的条目,该存储元素在对所述后台空间中的一个或多个先前存储的存储元素进行至少一次部分重写的情况下被写入到所述阵列。
搜索关键词: 用于 非易失性存储器 存储系统 范围 目录
【主权项】:
一种非易失性存储器(NVM)间接写入设备,包括:NVM存储阵列,其用于存储多个存储元素;以及双范围目录结构,其具有后台空间和前台空间,所述结构用于存储多个条目,所述多个条目中的每一个条目对应于在所述NVM存储阵列中用于存储所述多个存储元素中的一个存储元素的单元,其中,所述后台空间包括针对如下存储元素的条目,该存储元素在没有对所述后台空间中的先前存储的存储元素进行任何部分重写的情况下被写入到所述阵列;并且所述前台空间包括针对如下存储元素的条目,该存储元素在对所述后台空间中的一个或多个先前存储的存储元素进行至少一次部分重写的情况下被写入到所述阵列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司,未经英特尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010248967.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top