[发明专利]发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201010243873.7 | 申请日： | 2010-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN101916819A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 张汝京;肖德元 | 申请（专利权）人： | 张汝京;肖德元 |
| 主分类号： | H01L33/58 | 分类号： | H01L33/58 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括：表面偏移(111)晶面1～9度的硅衬底；依次位于硅衬底上方的缓冲层、有源层、帽层；所述发光二极管还包括多个沟槽，所述沟槽的深度至少自所述帽层延伸至缓冲层顶部；所述发光二极管还包括位于所述沟槽内的透光元件。有源层发出的光透过透光元件到达发光二极管的出光面，提高了发光二极管的光利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其特征在于，包括：表面偏移(111)晶面1～9度的硅衬底；晶面依次位于硅衬底上方的缓冲层、有源层、帽层；所述发光二极管还包括多个沟槽，所述沟槽的深度至少自所述帽层延伸至缓冲层顶部；所述发光二极管还包括位于所述沟槽内的透光元件。
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