[发明专利]CuInSe2纳米材料及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201010238826.3 | 申请日： | 2010-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN101927983A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 万立骏;王建军;郭玉国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CuInSe2纳米材料及其制备方法与应用。该方法，包括下述步骤：1)将含铜化合物、含硒化合物及油胺于反应装置a中混匀，将含铟化合物及油胺于反应装置b中混匀，将装置a和装置b分两步加热升温，同时用惰性气体排除装置a和装置b中的氧气和水；2)将装置b冷却至60-160℃，将装置a继续升温至130-280℃后，将装置b中的含铟化合物及油胺加入到装置a中进行反应，反应完毕用有机溶剂洗涤，得到所述CuInSe2纳米材料。本发明利用常规的反应物可制备出非常均匀的CuInSe2纳米材料，而且利用制备的CuInSe2纳米材料和P3HT制备的复合材料表现出优异的光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | cuinse sub 纳米 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种制备CuInSe2纳米材料的方法，包括下述步骤：1)将含铜化合物、含硒化合物及油胺于反应装置a中混匀，将含铟化合物及油胺于反应装置b中混匀，将所述反应装置a和反应装置b分两步加热升温，在所述加热升温步骤的同时，用惰性气体排除所述反应装置a和反应装置b中的氧气和水；2)将所述反应装置b冷却至60 160℃，将所述反应装置a继续升温至130 280℃后，将所述反应装置b中的含铟化合物及油胺加入到所述反应装置a中进行反应，反应完毕用有机溶剂洗涤，得到所述CuInSe2纳米材料。
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