[发明专利]一种太阳能硅单晶片冷水冲洗方法无效
| 申请号： | 201010237917.5 | 申请日： | 2010-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN102339895A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 王玉明 | 申请（专利权）人： | 扬州华尔光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 徐激波 |
| 地址： | 225600 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能硅单晶片冷水冲洗方法，该方法包括以下步骤：用下料车将待冲洗硅单晶片推进冲洗架卡口；打开喷淋水龙头，喷淋管有若干出水口水平向单晶喷淋，水温控制在14-18℃；冲淋40分钟后可扒片去胶。本发明相比较其他使用自动脱胶机的脱胶方式，大大降低了成品崩边率，节约人力、电耗、减少了环境污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能 晶片 冷水 冲洗 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能硅单晶片冷水冲洗方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：1)用下料车将待冲洗硅单晶片推进冲洗架卡口；2)打开喷淋水龙头，喷淋管有若干出水口水平向单晶喷淋，水温控制在14‑18℃；3)冲淋40分钟后可扒片去胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
