[发明专利]表面活化负极极片无效
| 申请号： | 201010236390.4 | 申请日： | 2010-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN102054968A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 吴中友;陈渊;刘建红;王雅和;毛永志 | 申请（专利权）人： | 中信国安盟固利动力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/134 | 分类号： | H01M4/134 |
| 代理公司： | 北京市京大律师事务所 11321 | 代理人： | 李光松 |
| 地址： | 102200 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种表面活化负极极片，是在金属基片上设有掺杂Si活化层，在掺杂Si活化层上再设置一碳膜层；掺杂Si活化层中掺杂元素选自Sn、Al中的一种金属元素和C、O中的一种非金属元素；碳膜层为无定型结构；掺杂Si活化层和碳膜层中的晶粒为纳米级；掺杂Si活化层的厚度为1-2000nm；碳膜层的厚度为1-500nm；掺杂Si活化层和碳膜层可以按掺杂Si活化层/碳膜层/掺杂Si活化层/碳膜层的顺序多层设置；金属基片选用Cu箔；金属基片的表面粗糙度为0.1-10μm。本发明表面活化负极极片，利用碳膜层，保护Si膜层；利用掺杂元素作缓冲体，再利用金属基片的表面粗糙度容纳体积膨胀，利用纳米级晶粒，容纳颗粒剂体积变化，使得该负极极片充放电容量大，循环性能得到较大提高。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 活化 负极 | ||
【主权项】：
一种表面活化负极极片，包括金属基片，其特征在于：在金属基片上设有掺杂Si活化层，在掺杂Si活化层上再设置一碳膜层；所述掺杂Si活化层中掺杂元素选自Sn、Al中的一种金属元素和C、O中的一种非金属元素。
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