[发明专利]一种多晶硅平坦化方法

摘要

本发明提供一种多晶硅平坦化方法，在具有氮化硅盖层栅极的晶片器件面沉积多晶硅之后，该方法包括：在所述多晶硅上依次沉积第一二氧化硅层和氮化硅层；干法刻蚀去除存储单元区的氮化硅层；在晶片器件面沉积表面最低点高于所述氮化硅盖层表面的第二二氧化硅层；以外围电路区保留的氮化硅层为停止层进行多晶硅CMP，最后去除外围电路区的氮化硅和残留的第一二氧化硅层和第二二氧化硅层。由于存储单元区的第一二氧化硅层和第二二氧化硅层填充了在多晶硅沉积时相邻栅极之间由于间距过大形成的多晶硅凹槽，因而避免了多晶硅平坦化过程中氧化物研磨料以及逆反应生成的复合物掉落进入多晶硅凹槽造成的残留物清除困难，以及对后续工艺的污染和阻碍。

主权项

一种多晶硅平坦化方法，在晶片器件面的存储单元区形成顶部具有氮化硅盖层的栅极，所述晶片器件面的存储单元区和外围电路区沉积多晶硅之后，其特征在于，该方法包括：在所述多晶硅上沉积第一二氧化硅层；在所述第一二氧化硅层上沉积氮化硅层；在存储单元区以第一二氧化硅层为停止层，干法刻蚀去除存储单元区的氮化硅层；在晶片器件面沉积表面最低点高于所述氮化硅盖层表面的第二二氧化硅层；以存储单元区的氮化硅盖层和外围电路区的氮化硅层为停止层，多晶硅化学机械研磨所述晶片器件面的第二二氧化硅层、存储单元区的第一二氧化硅层和多晶硅层；去除残留的第一二氧化硅层和第二二氧化硅层。