[发明专利]半导体板构件无效
| 申请号： | 201010232391.1 | 申请日： | 2007-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN101908518A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 李相侑;白智钦;金秀烘;刘昌佑;尹星云 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/3213;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 郑建晖;严业福 |
| 地址： | 韩国首*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种使用各向同性蚀刻来形成精细图案的方法包括以下步骤：在半导体基片上形成蚀刻层，并且在所述蚀刻层上涂覆光致抗蚀剂层；对涂覆有所述光致抗蚀剂层的所述蚀刻层进行光刻工艺，并且对包括通过所述光刻工艺形成的光致抗蚀剂图案的所述蚀刻层进行第一各向同性蚀刻工艺；在包括所述光致抗蚀剂图案的所述蚀刻层上沉积钝化层；以及对所述钝化层进行第二各向同性蚀刻工艺。在不去除所述钝化层的所述预定部分的情况下直接进行所述第二各向同性蚀刻工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 构件 | ||
【主权项】：
一种具有精细图案的半导体板构件，包括：半导体基片；以及在所述半导体基片上形成的内部引线，其中所述内部引线的上部宽度与下部宽度的比值大于4.9∶12.75并且为10.7∶12.3或更小。
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