[发明专利]氮化铬新型复合材料的SMT金属掩膜板之制作方法无效
| 申请号： | 201010231981.2 | 申请日： | 2010-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101928926A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 潘宇强;徐智;陈孟财;孔斌辉 | 申请（专利权）人： | 潘宇强 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518126 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 氮化铬新型复合材料的SMT金属掩膜板之制作方法，涉及电子元件表面贴装技术领域，尤其涉及一种利用新型复合材料制作高精度贴装孔掩膜板的制作方法，通过0.025-0.035Wb磁通量的磁场同高压电场组成正交电磁场将高密度的金属耙材纳米氮化铬激发出高密度的微离子体，微离子体在洛仑兹力的作用下加速飞向靶面，高速度轰击靶面，使靶面上被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离靶面飞向掩膜板的表面淀积一层约500-1500纳米的模；其有益效果是：本发明制作的掩膜板，其表面镀有一层约500-1500纳米的氮化铬模，使得掩膜板表面光亮，有利于焊膏印刷时，锡珠在掩膜板上的滚动。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 新型 复合材料 smt 金属 掩膜板 制作方法 | ||
【主权项】：
氮化铬新型复合材料的SMT金属掩膜板之制作方法，其特征在于包括以下步骤：a)在掩膜板上加工用于漏印锡膏的贴装孔，贴装孔穿透掩膜板；b)将掩膜板进行清洗处理后置于磁控溅射设备的缓冲室内，对磁控溅射设备的缓冲室进行抽真空处理，使得磁控溅射设备的缓冲室处于2×104帕的真空环境；c)将置于磁控溅射设备缓冲室内掩膜板加热到150 200摄氏度；d)通过0.025 0.035Wb磁通量的磁场同高压电场组成正交电磁场将高密度的金属耙材纳米氮化铬激发出高密度的微离子体，微离子体在洛仑兹力的作用下加速飞向靶面，高速度轰击靶面，使靶面上被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离靶面飞向掩膜板的表面淀积一层约500 1500纳米的模；e)对掩膜板进行退火处理，冷却便完成了氮化铬新型复合材料掩膜板的制作。
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