[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开一种半导体器件及其制造方法，半导体器件的制造方法包括：蚀刻半导体基板以形成多个柱状图案；在柱状图案的表面上沉积绝缘层；移除位于柱状图案的一侧的绝缘层的一部分，以形成使柱状图案露出的触点孔；在触点孔中形成阻挡薄膜；以及在柱状图案中形成与触点孔接触的接面。在该方法中，当形成了埋入式位线时，在触点孔中形成扩散阻挡物，并且在柱状图案的较低部分中形成接面，因而改善器件的特征。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：蚀刻半导体基板以形成柱状图案；在所述柱状图案的表面上沉积绝缘层；移除位于所述柱状图案的侧壁上的所述绝缘层的一部分，以形成触点孔，所述触点孔使所述柱状图案的侧壁的一部分露出并限定所述柱状图案的侧壁的一部分；在所述触点孔中形成阻挡薄膜；在所述柱状图案的侧壁的由所述触点孔限定的部分中形成接面区域；以及在所述阻挡薄膜上形成位线以与所述接面电连接。