[发明专利]一种钼基低温烧结微波介质陶瓷材料无效
| 申请号： | 201010228785.X | 申请日： | 2010-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101891476A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 庞利霞;周迪 | 申请（专利权）人： | 西安工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;C04B35/50 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 黄秦芳 |
| 地址： | 710032*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种钼基低温烧结微波介质陶瓷材料，以克服现有技术存在的微波介质陶瓷性能不够理想的问题。本发明提供的钼基低温烧结微波介质陶瓷材料的结构表达式为：(La1-xNdx)2Mo3O12,其中0.0≤x≤1.0。本发明的低温烧结钼基微波介质陶瓷材料具有以下优点：1、相对介电常数低（8.2～10.1），低频下介电损耗小（tanδ<5×10-4，1MHz），微波品质因数高（Qf=60,000～80,000GHz），使用频率可达10GHz以上，谐振频率温度系数为-80～-60ppm/oC；2、烧结温度低（900～1000oC）；3、制备工艺简单；4、应用范围宽。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 烧结 微波 介质 陶瓷材料 | ||
【主权项】：
一种钼基低温烧结微波介质陶瓷材料，其特征在于：该陶瓷材料结构表达式为：(La1‑xNdx)2Mo3O12, 其中0.0≤x≤1.0。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安工业大学，未经西安工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010228785.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多晶立方氮化硼磨料生产方法
- 下一篇：一种水泥混凝土道面快速修补剂
