[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201010223481.4 | 申请日： | 2010-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102315266A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/12;H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括在半导体衬底上形成的半导体器件，半导体器件包括：应力传递层，位于源/漏区和栅堆叠上方；开口，形成在应力传递层中栅堆叠的上方，或源区和漏区的上方；相变材料填充物，填充开口；以及约束层，位于应力传递层和开口上方，其中，应力传递层用于将相变材料填充物在相变过程中的体积变化转变成作用在沟道区上的应力，并且约束层用于约束相变材料填充物的自由体积变化。本发明适合于在半导体中实现应力增强。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括在半导体衬底上形成的半导体器件，所述半导体器件包括：沟道区，形成在所述半导体衬底上；栅堆叠，形成于所述沟道区上方；源/漏区，形成于所述沟道区的两侧，所述半导体器件还包括：应力传递层，位于所述源/漏区和所述栅堆叠上方；开口，形成在所述应力传递层中所述栅堆叠的上方或源区和漏区的上方；相变材料填充物，填充所述开口；以及约束层，位于所述应力传递层和开口上方；其中，所述应力传递层用于将所述相变材料填充物在相变过程中的体积变化转变成作用在所述沟道区上的应力，并且所述约束层用于约束相变材料填充物的自由体积变化。
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