[发明专利]高效大型多晶硅还原炉有效
| 申请号： | 201010222864.X | 申请日： | 2010-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN101870471A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 严均 | 申请（专利权）人： | 江苏中能硅业科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03;C30B29/06 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 肖明芳 |
| 地址： | 221004 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高效大型多晶硅还原炉，它包括底盘和罩在所述底盘上的钟罩式炉筒，所述底盘上密集地设有多对电极、至少一个进气口和至少一个排气口，其特征在于所述电极的对数为2n(n+1)对，其中，n为电极分布的层数，且n≥4，所述2n(n+1)对电极分为n层排列，每层按4对、8对、12对、…、4n对工整排列。该反应器实现了更密集且工整的电极排布，提高了还原炉内热能利用率，实现了更均匀的流场分布，从而提高了每炉的多晶硅产量、改善了产品表面质量，并降低了能耗。 | ||
| 搜索关键词： | 高效 大型 多晶 还原 | ||
【主权项】：
一种高效大型多晶硅还原炉，它包括底盘和罩在所述底盘上的钟罩式炉筒，所述底盘上密集地设有多对电极、至少一个进气口和至少一个排气口，其特征在于所述电极的总对数为2n(n+1)对，其中，n为电极分布的层数，取正整数且n≥4，所述2n(n+1)对电极分为n层排列，每层按4对、8对、12对、...、4n对工整排列。
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