[发明专利]一体式太阳能瓦片及其制造方法无效
| 申请号： | 201010219690.1 | 申请日： | 2010-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN102312530A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 郭台铭;陆惠民 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | E04D13/18 | 分类号： | E04D13/18;E04D3/35;H01L31/048;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种一体式太阳能瓦片，包括曲面瓦片本体、氮化硅薄膜、第一接触电极、非晶硅薄膜、第二接触电极、金属导线层及保护膜。所述氮化硅薄膜覆盖于所述曲面瓦片本体之顶面，所述第一接触电极贴于所述氮化硅薄膜之表面，所述非晶硅薄膜覆盖所述氮化硅薄膜及所述第一接触电极，所述第二接触电极贴于所述非晶硅薄膜之表面并与所述第一接触电极相互绝缘。所述金属导线层设置于所述非晶硅薄膜的表面并且电连接所述第二接触电极。所述保护膜覆盖于所述金属导线层表面。本发明还揭露了一种制造所述太阳能瓦片的方法。本发明之太阳能瓦片制造方法可将太阳能电池与屋顶瓦片制造整合为一体，从而使得太阳能瓦的结构简单，成本降低。 | ||
| 搜索关键词： | 体式 太阳能 瓦片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种一体式太阳能瓦片，包括：曲面瓦片本体，包括顶面和侧面；氮化硅薄膜，覆盖所述曲面瓦片本体之顶面；第一接触电极，贴于所述氮化硅薄膜之表面；非晶硅薄膜，覆盖所述氮化硅薄膜及所述第一接触电极；第二接触电极，贴于所述非晶硅薄膜之表面，并与所述第一接触电极相互绝缘；金属导线层，设置于所述非晶硅薄膜的表面，并且电连接所述第二接触电极；及保护膜，覆盖于所述金属导线层表面；所述氮化硅薄膜、所述第一接触电极、所述非晶硅薄膜、所述第二接触电极、所述金属导线层及所述保护膜依次层迭设置于所述曲面瓦片本体顶面，并形成一体式太阳能瓦片。
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