[发明专利]多通道碳纳米管传感器及其制备方法无效
| 申请号： | 201010214415.0 | 申请日： | 2010-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101870446A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 丁桂甫;陆闻静;王艳;邓敏;周镇威 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种微电子技术领域的多通道碳纳米管传感器及其制备方法，包括：基片、金属下电极、碳纳米管和金属上电极，其中：基片位于整体结构的最底端，金属下电极位于基片之上，若干根碳纳米管呈垂直分布形成阵列且两端分别与金属下电极和金属上电极相连接形成碳纳米管导电通道，金属下电极、碳纳米管导电通道和金属上电极构成若干个串联单元结构。本发明制备所得传感器能够实现上下集成，与IC集成电路兼容，可以制造阵列传感器，实现器件的多样化和集成化制造。 | ||
| 搜索关键词： | 通道 纳米 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多通道碳纳米管传感器，包括：基片、金属下电极、碳纳米管和金属上电极，其特征在于：基片位于整体结构的最底端，金属下电极位于基片之上，若干根碳纳米管呈垂直分布形成阵列且两端分别与金属下电极和金属上电极相连接形成碳纳米管导电通道，金属下电极、碳纳米管导电通道和金属上电极构成若干个串联单元结构。
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