[发明专利]一种Bi2S3/TiO2纳米管阵列及其制备方法无效
| 申请号： | 201010212815.8 | 申请日： | 2010-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101851773A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 罗胜联;杨丽霞;苏芳;刘承斌 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | C25D11/26 | 分类号： | C25D11/26;C25D3/54 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人： | 颜勇 |
| 地址： | 410082 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体材料-Bi2S3/TiO2纳米管阵列及其制备方法。以含有Bi(NO3)·5H2O(0.05mol/L-2mol/L)、硫粉(0.1mol/L-3mol/L)、L-半胱胺酸(0.12mol/L-3mol/L)的二甲基亚砜(DMSO)为镀液，在三电极体系中在TiO2纳米管阵列上沉积Bi2S3晶体。这种结构新颖的Bi2S3/TiO2纳米材料，可以有效地扩展TiO2在可见光区的吸收范围并且降低电子空穴对复合的几率，在可见光光下会产生更多的光生电子和光生空穴，在太阳能电池，太阳辐射吸收器，纳米开关，热电光电转换器，超导体，气敏传感器等方面存在潜在应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 bi sub tio 纳米 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Bi2S3/TiO2纳米管阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在25～100V直流电压下，以纯钛或钛合金为阳极，铂片为阴极，在电解液中电解制备二氧化钛纳米管；在400℃-500℃有氧条件下将制备的二氧化钛纳米管阵列煅烧4-6h，使其晶化成TiO2纳米管阵列；(2)以含有0.05mol/L-2mol/L的Bi(NO3)·5H2O、0.1mol/L-3mol/L的硫粉、0.12mol/L-3mol/L的L-半胱胺酸的二甲基亚砜为镀液，在以饱和甘汞电极为参比电极，铂电极为对电极，步骤(1)生成的TiO2纳米管阵列的钛片为工作电极的三电极体系中，在TiO2纳米管阵列上沉积Bi2S3晶体，沉积方式为方波脉冲，通断比为1∶1～1∶20；沉积时间为：10～800s。
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